【摘 要】
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超导纳米线单光子探测器(SNSPD)的核心是利用超薄超导材料制备的纳米线,超导薄膜的质量直接决定了SNSPD的性能.高质量超薄WSi薄膜具有较低的超导能隙和较高的光吸收率,因
【机 构】
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南京大学超导电子学研究所,南京210093
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超导纳米线单光子探测器(SNSPD)的核心是利用超薄超导材料制备的纳米线,超导薄膜的质量直接决定了SNSPD的性能.高质量超薄WSi薄膜具有较低的超导能隙和较高的光吸收率,因此可以用于制备高性能SNSPD器件.我们采用磁控共溅射法在不同衬底上制备出WSi薄膜,通过调节两个靶材的溅射功率可以灵活的调控薄膜的组份,从而优化了薄膜的超导性能.优化功率比条件下,我们在Si-SiOx衬底上制备出的8 nm WSi薄膜,其超导临界转变温度可达4.5 K.另外我们还对所制备的WSi薄膜进行了XRD、XPS,AES,TEM,AFM等表征和分析,从而证明我们所制备的超薄WSi薄膜符合制备SNSPD器件的条件.
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