恒电位法制备CdSe纳米颗粒及其表征

• 作 者: 李剑 王宏智 王津生 姚素薇 张卫国
• 机 构: 天津大学化工学院杉山表面技术实验室,天津300072
• 出 处: 第十四次全国电化学会议
• 发表日期: 2007年11期
• 关键词: 镉硒纳米颗粒 恒电位法 制备工艺

CdSe纳米材料作为一种典型的Ⅱ-Ⅵ族纳米半导体,由于其具有较大的激子Bohr半径,因而具有很强的量子限域效应,使其更有利于在半导体光学、电学和力学等方面获得一些新奇特性,因此,CdSe纳米材料的制备引起材料学领域越来越多的关注,一直是材料领域研究的一大热点。本文采用恒电位沉积法制备了CdSe纳米颗粒膜，并对其形貌、结构和发光性能进行了表征。