基于SOI微型电场传感器的设计

• 作 者: 杨鹏飞[1]彭春荣[2]张海岩[1]刘世国[2]夏善红[2]
• 机 构: 中国科学院电子学研究生传感技术国家重点实验室 北京 100080 中国科学院研究生院 北京 100039
• 出 处: 中国电子学会电路与系统学会第二十二届年会
• 发表日期: 2010年期

本文设计并研制了一种新型、高件能的基于SOI(silicon-on-insulator)技术的微型电场传感器初样器件，该器件的敏感结构由激励电檄、屏蔽电极、感应电极和支撑梁等构成;传感器屏蔽电极基于侧面屏蔽感应电极的原理，降低了屏蔽电极边缘效应的影响，提高了电极感应效率;为子提高传感器的灵敏度，对传感器的结构参数进行优化设计，结果表明，传感器的屏蔽电极和感应电极的宽度越窄，器件的灵敏度越高，两感应电极之间距离也有一个最优值;经测试发现，在0～50kV/m的电场范围内，优化之后的传感器分辨率为50V／m，精度优于2％。