【摘 要】
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对高压耗尽法（HPD-PECVD）制备的不同晶化率微晶硅材料及电池进行自然衰退和光致衰退实验。实验结果表明，本征微晶硅材料存在氧吸附及后氧化现象，这使得材料的暗电导率上升，光敏性
【机 构】
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南开大学光电子薄膜器件与技术研究所 光电信息技术科学教育部重点实验室 光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室 天津,300071
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对高压耗尽法（HPD-PECVD）制备的不同晶化率微晶硅材料及电池进行自然衰退和光致衰退实验。实验结果表明，本征微晶硅材料存在氧吸附及后氧化现象，这使得材料的暗电导率上升，光敏性变差，这一现象同材料的晶化情况密切相关。而微晶硅电池最外面的非晶硅N 层可以起到阻挡层作用，电池并无自然衰退现象。在光衰退实验中，电池效率η、短路电流密度Jsc、开路电压Voc 在光照后有不同程度的上升。最后对实验结果进行了讨论。
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