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具有高开关比、低漏电流的InSb纳米线平面环栅场效应器件

来源 :第二十届全国半导体物理学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：lang_tianhua

【作 者】

：

潘伟 黄少云 P.Caroff 李侃 徐洪起 

【机 构】

：

北京大学纳米器件物理与化学教育部重点实验室,北京,100871LundUniversity,DivisionofSolid-StatePhysics,Lund,Sweden北京大学纳米器件物理与化学教

【出 处】

：

第二十届全国半导体物理学术会议

【发表日期】

：

2015年7期

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