微波快速合成-烧结制备TiNiSn0.95Sb0.05半赫斯勒热电块体

来源 :2016中国功能新材料学术论坛 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wangyiecuifeng
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  开展了TiNiSn0.95Sb0.05热电块体材料的微波快速合成-烧结研究,并对样品的物相组成、电性能、热性能、微观结构和综合热电性能进行了测试和表征分析.相组成分析表明,采用微波固相合成在4~5min内即获得了单一相纯度相对较高的TiNiSn0.95Sb0.05合金,但存在少量杂质SnO2、Ni3Sn2、Sb2O4;合成样品经20min微波烧结后,还存在少量Sn和5b2O4.电性能分析表明,电阻率较低为2.7~5.3μΩm,从而对功率因子产生较大影响,功率因子最高为4042μWm-1K-2.热性能分析表明,TiNiSn0.95Sb0.05样品的热导率随着温度升高而降低,热导率最大为5.9Wm-1K-1,晶格热导率仅为2.7~3.5 Wm-1K-1,热性能良好.微观结构分析表明,微波烧结抑制了TiNiSn0.95Sb0.05晶粒长大TiNiSn0.95Sb0.05基体晶内和晶界分布有大量纳米晶粒,绝大部分属于晶内析出,且分布较均匀,少部分分布在晶界.综合热电性能ZT值随温度的上升显著增大,并在573~673K获得最大值0.44.
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