不同激发密度FZnSe单晶膜中的近带边缘发射

• 作 者: 马力 汤子康 范希武
• 机 构: 中国科学院长春物理研究所
• 出 处: 第四届全国发光学术会议
• 发表日期: 1986年期
• 关键词: 高激发密度 单晶膜 边缘 载流子散射 激子 发射 强度比 自由 束缚 实验 模式 解释 过渡

繻→（hv，e-h）散射模式可以很好地解释了高激发密度下自由到束缚的发射与近带边缘发射的强度比随着激发密度的增加而增加的实验结果。发现在低激发密度时，ZnSe的近带边缘发射应归结为激子—载流子散射，而随着激发密度的提高过渡到激子－－激子散射。利用（E[*vK*][**]S[*v1*]E[*vk1*][*（本刊录）