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在溶液中生长的晶体,其周围存在一个很薄的浓度扩散层,对传质过程有重要影响。为了研究杂质对蔗糖结晶的影响,尤其是对各晶面的特异作用,以及观察在蔗糖晶体的各晶面产生接触成核的敏感性,利用全息干涉计量术直接观察、记录并测量了蔗糖单晶生长的扩散层在受到杂质的影响和接触成核的干扰时所发生的形态变化。多聚糖和低聚糖等杂质可抑制蔗糖的b轴生长,使{110}和{110}晶形的扩散层变薄、浓度梯度减小 。表现为干涉条纹变得稀落甚至消失。Na[*v2*]CO[*v3*]则可以抑制所有晶面的生长。在被观察到发生了接触成核的晶面,扩散层也有类似情况。一般生长较快的晶面也较易产生接触成核。(本刊录)