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多层垂直耦合InAs量子点发光性质的研究
多层垂直耦合InAs量子点发光性质的研究
来源 :第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:ywyyang
【摘 要】
:
对多层垂直耦合1.3μm发光InAs量子点的研究发现,由于层间应力的相互影响,量子点发光峰随层间间隔层厚度的增加会朝低能方向移动,这说明在制备多层耦合1.3μm量子点的时候我
【作 者】
:
何军
徐波
朱天伟
曲胜春
刘峰奇
王占国
【机 构】
:
中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室(北京)
【出 处】
:
第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
【发表日期】
:
2002年期
【关键词】
:
多层耦合
垂直
量子点
间隔层厚度
发光峰
层间应力
移动
低能
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对多层垂直耦合1.3μm发光InAs量子点的研究发现,由于层间应力的相互影响,量子点发光峰随层间间隔层厚度的增加会朝低能方向移动,这说明在制备多层耦合1.3μm量子点的时候我们必须考虑GaAs间隔层的厚度.
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