一种含有曲率校正方法的CMOS带隙基准源

• 作 者: 史侃俊 许维胜 余有灵
• 机 构: 同济大学,控制科学与工程系,上海,200092
• 出 处: 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会
• 发表日期: 2005年期
• 关键词: 曲率校正 校正方法 带隙电压基准源 电压值 电子镇流器 电源抑制比 信号模型 温度系数 输出 仿真结果 室温下 高性能 设计 电阻 电路 材料

本文设计了一种用于电子镇流器片内的高性能带隙电压基准源.电路采用了不同材料电阻的比值来进行曲率校正.基于某0.6umN阱CMOS混合信号模型的仿真结果表明:在5V电压下,输出基准电压值在-20℃至120℃之间的温度系数为7.7ppm,在27℃室温下,输出基准电压值在5V至8V之间的电压的电源抑制比为-60.88dB.