【摘 要】
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本文通过光吸收和光诱导电容-电压(C-V)实验手段研究形貌变化(热退火)对P3HT:PCBM器件内部电极化的影响.我们发现:i)热退火增加P3HT:PCBM混合薄膜的光吸收强度.由于退火前后薄膜厚度基本不变,光吸收强度增加本质上反映给体受体结构吸收系数的增加.ii)热退火可以增加聚合物P3HT结晶和受体分子PCBM的聚集,以此增加分子链间和分子内库仑相互作用,改善给体受体交叉互穿网络,提高器件性能
【机 构】
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武汉光电国家实验室;光学与电子信息学院;华中科技大学,武汉430074 武汉光电国家实验室;光学与
【出 处】
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第八届全国暨华人有机分子和聚合物发光与光电特性学术会议
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本文通过光吸收和光诱导电容-电压(C-V)实验手段研究形貌变化(热退火)对P3HT:PCBM器件内部电极化的影响.我们发现:i)热退火增加P3HT:PCBM混合薄膜的光吸收强度.由于退火前后薄膜厚度基本不变,光吸收强度增加本质上反映给体受体结构吸收系数的增加.ii)热退火可以增加聚合物P3HT结晶和受体分子PCBM的聚集,以此增加分子链间和分子内库仑相互作用,改善给体受体交叉互穿网络,提高器件性能.iii)吸收系数是指入射光子被给定分子吸收的可能性,它是由入射光子与诱导电偶极相互作用决定的,因此吸收系数的增加就表明P3HT:PCBM薄膜中电极化的增强.
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