MCT单晶中的应变研究

• 作 者: 王跃 蔡毅 李全保
• 机 构: 昆明物理研究所
• 出 处: 1989年全国碲镉汞技术交流会
• 发表日期: 1989年期
• 关键词: 生长方向 单晶 结晶方法 衍射方法 生长工艺 近似计算 固态 对应关系 衍射角 组分 实验 晶向 测量

用X光衍射方法，测量了固态再结晶方法生长的MCT单晶生长方向的衍射角2θ，近似计算出单晶生长方向的的应变。MCT单晶的组分为x=0.214，生长方向为[111]、[110]和[100]。初步实验结果表明：固态再结晶方法生长的MCT单晶生长方向的最大应变为10[*-4*]；应变与MCT单晶的晶向没有明显的对应关系，主要与生长工艺有关。（本刊录）