三氯环硼氮烷改性聚碳硅烷的制备及表征

• 作 者: 戈敏 沈志洵 陈明伟 张伟刚
• 机 构: 中国科学院过程工程研究所多相复杂系统国家重点实验室,北京100190
• 出 处: 第五届全国化学工程与生物化工年会
• 发表日期: 2008年10期
• 关键词: 聚碳硅烷 三氯环硼氮烷 改性处理 制备工艺 性能表征

　　将三氯环硼氮烷(TCB)与聚碳硅烷(PCS)混合,制备了TCB改性PCS聚合物。考察了反应温度、反应时间及三氯环硼氮烷用量对改性聚碳硅烷分子量及陶瓷收率的影响。结果表明,三氯环硼氮烷中的活泼氯原子在较低温度下即可与聚碳硅烷发生反应,放出HCl分子；红外图谱分析显示,当三氯环硼氮烷加入量为5wt％时,Si-H键相对强度变化不大；当三氯环硼氮烷加入量大于15wt％时,Si-H键相对强度明显降低,表明Si-H键参与反应。经15wt%三氯环硼氮烷改性后所得产物，在高纯氮气下经1000℃处理，其陶瓷收率达74%，较未经改性的聚碳硅烷陶瓷收率高12%。因此，在PCS中加入三氯环硼氮烷降低了Si-H键的含量，是一种提高陶瓷收率、制备不含氧SiC的有效途径。