【摘 要】
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采用磁过滤脉冲真空电弧共沉积方法,在单晶硅片上制备了系列Co-C纳米颗粒膜,对制备态薄膜进行了不同温度的真空退火处理.分别采用X射线光电子能谱仪(XPS)、透射电子显微镜(TEM)、磁力显微镜(MFM)对薄膜的化学组分、形貌、颗粒尺寸、微观结构、磁畴结构进行了测量与分析;采用超导量子干涉磁强计(SQUID)对薄膜的磁性进行了测量.结果表明,制备态薄膜为颗粒状非晶结构,颗粒尺寸3-4nm,观察不到明
【机 构】
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五邑大学薄膜与纳米材料研究所(江门),香港中文大学电子工程系暨材料科技研究中心(新界香港) 香港中
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采用磁过滤脉冲真空电弧共沉积方法,在单晶硅片上制备了系列Co-C纳米颗粒膜,对制备态薄膜进行了不同温度的真空退火处理.分别采用X射线光电子能谱仪(XPS)、透射电子显微镜(TEM)、磁力显微镜(MFM)对薄膜的化学组分、形貌、颗粒尺寸、微观结构、磁畴结构进行了测量与分析;采用超导量子干涉磁强计(SQUID)对薄膜的磁性进行了测量.结果表明,制备态薄膜为颗粒状非晶结构,颗粒尺寸3-4nm,观察不到明显的磁畴结构,样品呈现出软磁特性;在经250-350°C的真空退火处理后,薄膜呈现密堆六方(hcp)Co与晶态Co<,x>C共存的亚稳态结构,薄膜由软磁逐渐向硬磁转变.当退火温度达到350-400°C时(与组分有关),Co<,x>C分解为(hcp)Co和石墨态C,Co颗粒尺寸增长至5-7nm,此时,可观察到明显的长程磁畴结构和典型的铁磁特征,对于350°C退火的Co<,65>C<,35>样品,室温饱和磁化强度(M<,s>、矫顽力(H<,c>和剩磁化(M<,r>/M<,s>)分别为2.5×10<5>J/T<2>·cm<3>,37kA/m,和0.68.制备态薄膜的软磁特性是由其非晶结构所决定,而退火样品的磁硬化则是由于薄膜中Co颗粒的晶化而引起.这种纳米颗粒薄膜体系作为高密度磁记录介质,具有一定的潜在应用价值.
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纳米科技发展是挑战也是机遇.在中国发展纳米科技存在科学理论、科学方法、科技创新和高风险等难点.把国家目标放在首位,纳米器件是研究工作核心,纳米材料是当前工作重点,top down是今后一个时期的主要研究方法,为科技创新创造良好环境,抓好人才培养和引进,加强规划协调是我国发展纳米科技的策略措施.提出了发展纳米科技当前应重视的若干研究内容.
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