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硼扩散被应用于N型硅基的PN结制结工艺,然而硼扩散过程中会在硅片表面形成难以避免的富硼层,该层由于富集无活性硼原子会严重影响电池性能.本文采用HF-HNO3体系化学腐蚀的方法来除去富硼层,去除富硼层后的硅片少子寿命从14.7μs增加到34.4μs,得到了很大的提高,方块电阻的均匀性也表现良好,虽然反射率有细微增加,但是依然认为该方法可以成功应用到富硼层的去除中.