【摘 要】
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砷化镓(GaAs)因为它本身较高的电子迁移率,低基极电阻,低损耗半绝缘衬底,高线性度,较高的过渡频率和击穿电压历来都是功率放大器(PA)的首选技术.本论文主要介绍了功率放大电路芯片的内部电路结构,针对基于GaAs MMIC的功率放大芯片进行了相关ESD失效分析,对不同的GaAs芯片做了ESD性能的评估并以肖特基二极管为防护器件对电路进行了防护设计提高了芯片的HBM等级.
【机 构】
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浙江大学昆山创新中心 浙江大学微电子学院ESD实验室
【出 处】
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ESD-S第五届静电防护与标准化国际研讨会
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砷化镓(GaAs)因为它本身较高的电子迁移率,低基极电阻,低损耗半绝缘衬底,高线性度,较高的过渡频率和击穿电压历来都是功率放大器(PA)的首选技术.本论文主要介绍了功率放大电路芯片的内部电路结构,针对基于GaAs MMIC的功率放大芯片进行了相关ESD失效分析,对不同的GaAs芯片做了ESD性能的评估并以肖特基二极管为防护器件对电路进行了防护设计提高了芯片的HBM等级.
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