界面介质层对GaN基LED漏电流的影响

来源 :第十届全国MOCVD学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:corbet2003
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在LED电极欧姆接触中,载流子在金属电极和半导体间有不同的传输机制,通过载流子在金属半导体界面传输机制的模拟,讨论了界面介质层及其势垒对器件串联电阻和漏电流的影响,介质层电阻比起LED的串联电阻小的多,可以忽略不计;但是随着器件的老化,介质层及其所含的缺陷会产生相当大的漏电流,使器件的可靠性和稳定性下降,也为LED的失效机理提供了理论依据。
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