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文章首先指出电容控温的缺点，然后指出用渗碳玻璃电阻温度计控温的方法。在4．2～50K、0～8T，控温精度为0．1℅，略优于SrTiO[*V4*]电容控温。在50～80K、0～19T，控温精度为0．3℅；在180～306K、0～19T控温精度为1℅，大大优于电容控温。（本刊录）
低温强磁场下温度控制的研究
【摘 要】
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文章首先指出电容控温的缺点，然后指出用渗碳玻璃电阻温度计控温的方法。在4．2～50K、0～8T，控温精度为0．1℅，略优于SrTiO[*V4*]电容控温。在50～80K、0～19T，控温精度为0．3℅；在180～306K、0～19
【机 构】
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中国科学院物理研究所
【出 处】
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第三届全国低温测试学术讨论会
【发表日期】
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1986年期
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