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介绍了适用于描述深亚微米半导体器件中能量量子化效应的2维密度梯度量子-漂移扩散模型，对深亚微米n型金属半导体场效应管(nMOSFET)进行了数值模拟，给出了器件的Ⅰ-Ⅴ曲线，沟道区域电子密度和电流密度的分布，以及微波脉冲作用下的电流响应，并与经典漂移扩散模型的结果进行了对比分析。比较模拟结果可知，量子效应使得沟道反型层载流子密度的峰值偏离了Si-SiO2界面，有效氧化层厚度增大，等效栅电容减小，栅电压的驱动能力减弱。