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Growth of silicon nitride films by N+ ions bombarding amorphous silicon surface:MD simulation
【机 构】
：
FOM Institute for Plasma Physics Rijnhuizen, Ass.EURATOM-FOM, Nieuwegein, P.O.Box 1207, 3430 BE Nieu
【出 处】
：
9th International Conference on Computer Siumlaation of Radi
【发表日期】
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2008年期
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