【摘 要】
：
通过固相反应法合成制备了Nb掺杂的Mn3Ag1-xNbxN.XRD测试结果显示当掺杂量x≤0.05时材料为具有立方结构的反钙钛矿相，当掺杂量x超过0.05时材料中将出现NbAg合金杂相.场冷-零场冷磁性曲线表明Mn3Ag1-xNbxN在5～300 K温区内随着温度降低首先发生顺磁-反铁磁相变，继续降温在低温下可以观察到自旋玻璃态.
【机 构】
：
哈尔滨工业大学理学院物理系,哈尔滨 150001
论文部分内容阅读
通过固相反应法合成制备了Nb掺杂的Mn3Ag1-xNbxN.XRD测试结果显示当掺杂量x≤0.05时材料为具有立方结构的反钙钛矿相，当掺杂量x超过0.05时材料中将出现NbAg合金杂相.场冷-零场冷磁性曲线表明Mn3Ag1-xNbxN在5～300 K温区内随着温度降低首先发生顺磁-反铁磁相变，继续降温在低温下可以观察到自旋玻璃态.
其他文献
硅基超导单光子(SSPD)和热电子测热(HET)器件等近年来受到广泛关注，制备高质量硅基NbTiN 超导超薄薄膜(～5nm)对于此类应用具有重要的意义.针对NbTiN 与硅基片晶格失配度较高导致超导性能的下降的难题，本文主要开展两方面的工作：一、考虑到器件的实际应用(工作波长～1.55μm)，研究采用在单晶硅片上低温条件下快速生长250nm 厚磷掺杂SiO2(PSG)薄膜作为硅与超导薄膜的过渡层，
通过电场调控磁性对于发展低能耗的自旋器件尤其是正在兴起的反铁磁自旋电子学器件具有重要意义。本文研究了界面工程在电场调控反铁磁金属IrMn以及调控IrMn/[Co/Pt]垂直交换耦合中的重要作用。实验通过在反铁磁IrMn和铁电基片PMN-PT之间插入不同种类、不同厚度的非磁性金属，结合霍尔器件探究了种子层对反铁磁磁矩的操控及IrMn/[Co/Pt]反常霍尔效应的影响。
高介电常数材料具有良好的储能和均匀电场的作用.它在电气、电子特别是电容器、储能元件等领域有着重要的应用潜能.基于渗流理论，将导电粒子或介电陶瓷粒子添加至聚合物基底材料中可以提高复合材料的介电常数.由于介电陶瓷粒子往往在50％或以上的填充量才能使得复合材料的介电常数显著提升，而此时复合材料的脆性显著，不易加工.本文采用物理低温球磨法制备不同粒径的聚苯胺材料，然后将纳米量级的导电材料添加至聚偏氟乙烯之
基于Landau–de Gennes理论，利用三维有限差分迭代法进行数值计算，研究了含有-1表面点缺陷(boojum1)的圆柱形简并混合排列向列相(DHAN)盒的结构转变.对于上下基板为强锚定边界的DHAN液晶盒，指向矢在上基板垂面排列，下基板沿面简并排列.研究结果表明：当盒厚d=30ξ(ξ 是序参数变化的相干长度)时，这种几何限制和边界条件会在下基板中心诱导一个boojum.
具有连续周期性结构的向列相液晶薄膜可以作为偏振光栅，这种结构的液晶偏振光栅(LCPG)可通过两束正交圆偏振的紫外激光束在偏振敏感的光取向材料上的全息干涉制得.液晶偏振光栅有如下特性，一束光通过液晶偏振光栅时只能被衍射到零级和正负一级，当液晶层的膜厚d=λ/2△n时，零级的通过率为零；此外，当入射光为右旋圆偏振光时，所有的入射光将被衍射到正一级，当入射光为左旋圆偏振光时，所有的入射光将被衍射到负一级
二氧化钒会在68oC由绝缘体相转化为金属相,即金属绝缘体相变.由绝缘体相转化为金属相时,二氧化钒会沿金属相的c轴缩短约1％,所以沿c轴的压应变会稳定金属相,降低绝缘体相转化为金属相的相变温度,使其在低于68oC时发生相变；反之,沿c轴的拉应力则会稳定绝缘体相,升高绝缘体相转化为金属相的温度.基于此,人们可以利用应变工程调控二氧化钒的金属绝缘体相变.图1中展示了如何利用应变工程调控相变的临界温度和金
XFEL与物质相互作用产生使物质达到奇异态--空心原子.利用基于独立粒子波函数的相对论组态相互作用的F.A.C(The Flexible Atomic Code)原子程序，计算Ne元素在光子能量为2000eV的XFEL轰击下光电离截面，以及俄歇速率.并将光电离截面转化为光电离速率.通过光电离过程与俄歇过程相互比较，得到电离路径图，解释了Ne在XFEL轰击实验中产生空心原子[1]电离路径的机制.
通过固相反应法制备了稀土元素Gd掺杂的反钙钛矿化合物Mn3Cu1-xGdxN,结构精修结果表明此化合物在室温下为立方晶体结构,空间群为Pm-3m,Mn原子占据晶胞面心位置,N原子占据晶胞体心位置,Cu原子与Gd原子随机占据晶胞顶角位置。场冷-零场冷磁性测试结果显示,Gd原子的引入使材料在TC处发生铁磁-顺磁相变后继续降温又出现第二次磁相变,相变温度定义为T*。