采用MOD工艺制备PZT压电薄膜及其性能的研究

• 作 者: 张之圣 陈智勇 王聪修
• 机 构: 天津大学电子信息工程学院(天津)
• 出 处: 第六届全国敏感元件与传感器学术会议
• 发表日期: 1999年期
• 关键词: 工艺制备 压电薄膜 金属有机化合物 钙钛矿 铁电薄膜 居里温度 介电性能 介电温谱 结晶过程 锆钛酸铅 相形成 热分解 铂电极 结构 法制

该文比较详细地研究了采用金属有机化合物热分解(MOD)法制备锆钛酸铅Pb(Zr<,0.52Ti<,0.48>)O<,3>铁电薄膜的工艺及PZT薄膜的介电性能。利用XRD分析了薄膜的结晶过程，制得具有钙钛矿结构的PZT薄膜，铂电极有利于钙钛矿相形成。薄膜的介电温谱研究结果表明：薄膜的居里温度约为430℃(1KHZ)。