【摘 要】
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本文利用感应耦合成式等离子体化学气相沉积(PECVD)在Si(100)衬底上制备BN薄膜.反应气体为硼烷(BH)和氮气(N),控制一定的分压比和工作气压,射频功率为100W,衬底温度在500℃到
【机 构】
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北京工业大学材料学院新型功能材料教育部重点实验室(北京)
【出 处】
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第四届中国功能材料及其应用学术会议
论文部分内容阅读
本文利用感应耦合成式等离子体化学气相沉积(PECVD)在Si(100)衬底上制备BN薄膜.反应气体为硼烷(B<,2>H<,6>)和氮气(N<,2>),控制一定的分压比和工作气压,射频功率为100W,衬底温度在500℃到1000℃之间变化.主要研究了温度对BN薄膜取向生长的影响.利用傅立叶变换红外谱(FTIR)和原子力显微镜(AFM)对制备样品进行了表征,并对高温诱导BN薄膜取向生长的机理进行了研究.
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