【摘 要】
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本文研究了王水、FeCl3、王水(含有缓冲剂)三种腐蚀液对ITO膜的腐蚀速率、腐蚀后的表面形貌、以及对芯片电参数等影响。实验结果发现，王水的腐蚀速率最快：分别为10000，1500A
【机 构】
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本文研究了王水、FeCl3、王水(含有缓冲剂)三种腐蚀液对ITO膜的腐蚀速率、腐蚀后的表面形貌、以及对芯片电参数等影响。实验结果发现，王水的腐蚀速率最快：分别为10000，1500A/Min；FeCl3腐蚀液和王水(含有缓冲韵)腐蚀速率适中：分别为8000、70A/Min，比较适合于应用于生产。王水(含有缓冲剂)腐蚀速率可控，稳定。采用王水(含有缓冲剂)腐蚀液对ITO膜腐蚀后的芯片，具有较高的IR良率。
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