氧化铪基阻变式存储器从材料工程到集成模块

来源 :第十六届全国电介质物理、材料与应用学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：baishe654

【摘要】

：

　　Low energy dissipation makes resistive random access memory(RRAM)a very interesting non-volatile storage media for wireless sensor networks and neuromorphic

【作者】

：

Gang Niu Pauline Calka Christian Walczyk Andrei Gloskovskii Lambert Alff Brice Gautier Peter Zaumseil Karol Fr(o)hlich Christian Wenger Thomas Schroeder

【机构】

：

ElectronicMaterialsResearchLaboratory,KeyLaboratoryoftheMinistryofEducation&InternationalCenterforDi

【出处】

：

第十六届全国电介质物理、材料与应用学术会议

【发表日期】

：

2016年7期

【关键词】

：

HfO2 RRAM Resistive Switching Material Engineering Integrated Modules

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　　Low energy dissipation makes resistive random access memory(RRAM)a very interesting non-volatile storage media for wireless sensor networks and neuromorphic computing applications.RRAM generally consists of Metal-Oxide-Metal(MOM)thin layers.

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