【摘 要】
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稀铋材料是目前Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中研究最少的材料体系,具有待认知的物理内涵,是国际上近几年刚起步的研究热点之一.因为铋元素是Ⅴ族元素中最大最重的元素,当被引入Ⅲ-Ⅴ
【机 构】
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中科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室上海市长宁路865号,200050
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稀铋材料是目前Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中研究最少的材料体系,具有待认知的物理内涵,是国际上近几年刚起步的研究热点之一.因为铋元素是Ⅴ族元素中最大最重的元素,当被引入Ⅲ-Ⅴ族化合物中时,会形成最大的自旋轨道耦合.当自旋-轨道分裂能量ESO大于带隙Eg时,可以抑制内价带吸收(IVBA)和电导-类型俄歇复合.这两个过程均涉及自旋轨道分裂能带(SO),是影响近红外、中红外室温激光器阈值电流和微分量子效率的主要因素.近些年,因为在中红外光电和热电功能器件方面的应用潜能,与InP匹配的InGaAsBi材料受到越来越多的关注.
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