低损耗分布式射频MEMS移相器的设计与ANN分析

• 作 者: 唐恺 傅佳辉 吴群 杨国辉 贺训军
• 机 构: 哈尔滨工业大学电子与信息技术研究院 哈尔滨 150001
• 出 处: 第七届全国毫米波亚毫米波学术会议
• 发表日期: 2008年6期
• 关键词: 移相器 反射损耗 结构设计 仿真分析

为满足移相器低损耗的要求，分析了基于RF MEMS开关毫米波段移相器的工作原理，提出了采用锯齿形结构共面波导以抵消MEMS金属桥引入的反射损耗的方法，并提出一种新的移相器模型。在此基础上，利用CST软件对所设计的MEMS移相器的网络特性进行了仿真与分析，结果表明，本文提出的模型具有在2GHz工作带宽内反射损耗小于-10dB，插入损耗在2GHz内大于-2dB，单桥相移量达到22.5度，与传统MEMS移相器相比，反射损耗减小8dB。在此基础上，采用ANN方法进行分析，提高了设计的效率。