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作为Ⅲ族氮化物半导体的一员,自被发现为窄禁带半导体后,InN引起了研究人员的广泛兴趣.然而,因为生长温度和晶格两方面的大失配,使得InN的外延生长极为困难,生长的InN的背景载流子浓度也较高,因而对其p型掺杂有较大的影响.
InN的p型掺杂研究
【摘 要】
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作为Ⅲ族氮化物半导体的一员,自被发现为窄禁带半导体后,InN引起了研究人员的广泛兴趣.然而,因为生长温度和晶格两方面的大失配,使得InN的外延生长极为困难,生长的InN的背景
【机 构】
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人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京大学物理学院,北京,100871
【出 处】
：
第十九届全国半导体物理学术会议
【发表日期】
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2013年7期
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