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为了研究掺杂活性金属原子对器件阻变性能的影响，我们设计了中间插入3nm Cu层的器件结构并在高温氮气氛围下进行快速退火处理。在退火后的ZrO2基阻变存储器中，发现了典型的非极性阻变特性。这种非极性阻变特性并不常见，曾出现在多种阻变存储器中，但相关的非极性物理机制仍在讨论。并且经过退火处理的器件在均一性和稳定性方面都得到了提高，器件的阻值开关比也增大。