【摘 要】
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在本文中,研究了不同烧成温度对掺杂0～1.7mol％Y2O3的ZnO-Bi2O3压敏电阻片的电气性能影响.在1140℃下烧成0.68mol％掺杂量的试样获得高性能电阻片具有300V/mm 的电位梯度和370 J/c
【机 构】
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西安电瓷研究所,西安,710077
【出 处】
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中国电工技术学会电工陶瓷专业委员会2006 年学术年会
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在本文中,研究了不同烧成温度对掺杂0～1.7mol％Y2O3的ZnO-Bi2O3压敏电阻片的电气性能影响.在1140℃下烧成0.68mol％掺杂量的试样获得高性能电阻片具有300V/mm 的电位梯度和370 J/cm3 的能量吸收能力.以FSM 为主成分的"F"无机高阻层适宜于高梯度压敏电阻片的侧面绝缘,加速老化系数KCT 小于1.
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