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GaAsSb 材料的禁带宽度可以通过改变Sb 的组分使其发光波段覆盖0.87μm～1.7μm的近红外光谱范围.这使得GaAsSb 材料在红外光子探测器[1]，垂直面腔激光器和双极型晶体管等光电器件方面具有应用前景[2].
退火效应对GaAsSb材料的光学和自旋极化特性的影响
【摘 要】
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GaAsSb 材料的禁带宽度可以通过改变Sb 的组分使其发光波段覆盖0.87μm～1.7μm的近红外光谱范围.这使得GaAsSb 材料在红外光子探测器[1]，垂直面腔激光器和双极型晶体管等光
【机 构】
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红外物理国家重点实验室中国科学院上海技术物理研究所,上海,200083
【出 处】
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第二十届全国半导体物理学术会议
【发表日期】
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2015年7期
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