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电迁徙参数电流密度因子（ｎ）是预测微电子器件金属化寿命的重要参数，它的测量一直是个难题。该文提出了一种与传统ＭＴＥ法完全不同的电流斜坡动态测试法（ＤＣＲ），精确控制金属条温度消除焦耳热影响，提高了测量精度，并将测试时间缩短了一到二个数量级。在直流连续应力下测试了４种不同金属化样品，其ｎ值分别为：２．２９（Ａｌ－Ｓｉ合金），１．２５（Ａｌ－Ｓｉ－Ｃｕ合金），１．２８（Ａｌ－Ｓｉ／Ｔｉ双层金属化），１．２３（Ａｌ－Ｓｉ／ＴｉＷＴｉ／Ａｌ－Ｓｉ多层金属化）。结果表明ｎ值与材料有关，电迁徙阻力越高，ｎ值越小，与ＢＬＡＣＫ方程相符。在单向脉冲应力下，ｎ值与频率（１ＭＨｚ以下）无关，随占空比增加略有上升。ＳＥＭ和ＥＤＸ显微分析表明金属化中Ａｌ离子发生迁移，导致样品失效。