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本报告首先分析了当前我国电子信息产业的现状，特别是电子材料与元器件行业的状况，结合国际电子信息技术的发展趋势，阐述了研究集成电子材料的重要意义，主要介绍了介电/GaN集成电子薄膜生长控制与性能研究情况。如采用TiO2(诱导层)/MgO(阻挡层)的组合缓冲层方法控制介电/GaN集成薄膜薄膜生长取向、界面扩散，保护GaN基半导体材料的性能，降低介电/GaN集成薄膜界面态密度，建立界面可控的相容性生长方法。通过集成结构的设计与加工，研制出介电增强型GaN HEMT器件和高耐压GaN功率器件原型，以及一体化的集成微波电容、变容管、压控振荡器、混频器等新型元器件。