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Cu2O是P型半导体,禁带宽度为2.0-2.2ev,可以用于光催化,将它与碳纳米管复合在一起有可能利用碳纳米管的传导电子的性能来降低氧化亚铜光生电子——空穴的复合几率,有望提高氧化亚铜的光催化活性.
回流法制备Cu2O/MWNTs纳米空心球及光催化性质研究
【摘 要】
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Cu2O是P型半导体,禁带宽度为2.0-2.2ev,可以用于光催化,将它与碳纳米管复合在一起有可能利用碳纳米管的传导电子的性能来降低氧化亚铜光生电子——空穴的复合几率,有望提高氧化亚铜的光催化活性.
【机 构】
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吉林大学 无机合成与制备国家重点实验室,长春 130012
【出 处】
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中国化学会第八届全国无机化学学术会议
【发表日期】
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2011年9期
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