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“自旋电子学”的根本是电子电荷和自旋的协同组合，通过同时有效地利用自旋和电荷两个自由度有望实现全新的电子器件[1].稀磁半导体因为它们在创新磁电子应用的巨大潜力而获得非常多的关注.我们在镀金7.5nm的硅衬底上通过化学气相沉积(CVD)成功制备出了高质量的氧化铟纳米线并对其进行稀土元素钕(Nd)掺杂，生长的原料则是通过固相反应法合成.利用VSM分别对CVD生长的出来的纯In2O3及Nd掺杂In2O3纳米线样品在室温下进行磁性测试，结果显示未掺杂的In2O3表现为抗磁性但在Nd掺杂In2O3中发现了矫顽力为70Oe磁化强度为0.17emu/g的的室温铁磁性，强的室温铁磁性可能是由于钕掺杂和氧空位共同作用的结果.同时我们还对纯In2O3及Nd掺杂In2O3进行了Raman表征[2]，结果显示Nd掺杂In2O3的峰位388和492相对于未掺杂的In2O3发生了红移且365峰位明显加强.这项工作将对磁性氧化物应用于未来的自旋电子器件起到重要的动作用.