【摘 要】
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如何在宏观尺度基体上制备大面积有序生长纳米尺度功能半导体材料,已成为国内外半导体纳米材料领域普遍关注的重大科学问题和热点研究领域.电化学方法制备纳米半导体器件的特
【机 构】
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中山大学化学与化学工程学院,广东,广州,510275
【出 处】
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2009年第十五次全国电化学学术会议
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如何在宏观尺度基体上制备大面积有序生长纳米尺度功能半导体材料,已成为国内外半导体纳米材料领域普遍关注的重大科学问题和热点研究领域.电化学方法制备纳米半导体器件的特点优势;反应条件温和 ,绿色经济,形貌可控,非常有利于纳米器件制备.本报告简介了笔者课题组2008至2009年通过电化学沉积技术,在Cu,Ni,Ti和ITO等宏观尺度基体上制备的Sb,Bi2Te3,PbTe,ZnO,Zn1-xCdxO,Ce4+/ZnO,Eu3+/ZnO,CeO2,Ce1-xZrxO2,Gd3+/CeO2,MnO2,等系列纳米半导体材料,构筑ZnO/ZnS,ZnTe/CdO,CdS/CdTe,PbS/PbTe等复合纳米材料;研究了纳米尺度功能半导体材料的组成、形貌、相变与光学、磁学性质的关系.,并探讨了其在超电容、催化、磁性、太阳能电池、分离技术等方面的应用.旨在发展和建立组成和结构可控、大面积有序成长的半导体材料的纳米制造技术.
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