【摘 要】
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采用脉冲激光沉积(PLD)技术,在Si(100)基片上直接制备了c轴一致取向的LSCO(La0.5S0.5CoO3)电极层和Bi3.15Nd0.85Ti3O12(BNT)铁电薄膜,并利用X-射线衍射、扫描电镜分析测定了薄膜的相结构、取向和形貌特征;利用高频阻抗分析仪和多功能铁电仪研究了其铁电特性.另外,还考察了沉积温度和氧压对BNT薄膜微结构、取向、形貌和铁电特性的影响,优化了BNT薄膜的沉积条件
【机 构】
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武汉大学,物理科学与技术学院,湖北,武汉,430072 武汉大学,物理科学与技术学院,湖北,武汉,
【出 处】
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第二届中国可信计算与信息安全学术会议
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采用脉冲激光沉积(PLD)技术,在Si(100)基片上直接制备了c轴一致取向的LSCO(La0.5S0.5CoO3)电极层和Bi3.15Nd0.85Ti3O12(BNT)铁电薄膜,并利用X-射线衍射、扫描电镜分析测定了薄膜的相结构、取向和形貌特征;利用高频阻抗分析仪和多功能铁电仪研究了其铁电特性.另外,还考察了沉积温度和氧压对BNT薄膜微结构、取向、形貌和铁电特性的影响,优化了BNT薄膜的沉积条件.在优化条件下制备得到的BNT薄膜的C-V曲线具有典型的蝴蝶形特征.由其P-E电滞回线测试得其剩余极化强度为2Pr=32.6μC/cm2,矫顽电场为2Ec=69kV/cm,表明该薄膜具有较好的电极化反转存储特性.
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