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该文报道了激光刻槽电池研究的新进展。在对电极设计以及槽扩散后处理，化学镀等工艺进行改进后，电池效率及稳定性都得到改进，采用区熔单晶制作电池效率达１８．６℅。该文还报道了采用直拉单晶和太阳能级单晶制作电池的结果。
激光刻槽埋栅晶硅电池研究的新进展
【摘 要】
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该文报道了激光刻槽电池研究的新进展。在对电极设计以及槽扩散后处理，化学镀等工艺进行改进后，电池效率及稳定性都得到改进，采用区熔单晶制作电池效率达１８．６℅。该文还报道了采用直
【机 构】
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市太阳能研究所
【出 处】
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第五届全国光伏技术学术研讨会
【发表日期】
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1998年期
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