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囊泡状过渡金属氧化物具有密度低、比表面积大和光俘获效率高等优点,因此其在锂电池[1]、染料敏化太阳能电池和超级电容器等应用中具有较大的潜力。控制囊泡层数和层间距可以使其应用于电极材料时发挥最优越的性能,这引起了人们浓厚的研究兴趣。目前,采用硬模板法制备囊泡状过渡金属氧化物(ZnO、SnO2、TiO2、Co3O4、Fe2O3 等)的技术已经比较成熟[2],而采用软模板法制备囊泡状过渡金属氧化物的例子极为少见。本文以十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)和双十二烷基二甲基溴化铵(DDAB)形成的聚集体为软模板,通过水热法成功制备了囊泡状过渡金属氧化物(Mn2O3、CeO2、NiO)。进一步的工作中,有望通过改变CTAB 和DDAB 的比例实现囊泡层数和层间距的调控。该法克服了硬模板法中存在的步骤复杂和耗时长等缺点,简化了其制备过程。