电流强度和温度对InGaNGaN多量子阱发光特性的影响

来源 :第十九届全国半导体物理学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:liongliong460
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InGaN合金是一个很重要的材料,在高亮度发光二极管(LED)和连续波(cw)蓝色激光器等光电器件领域有着重要的应用.理解InGaN多量子阱(MQW)内部的发光机制,对进一步研发相关光电器件至关重要[1-3].
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