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高能质子对晶闸管的辐照效应研究
高能质子对晶闸管的辐照效应研究
来源 :第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:huntergy
【摘 要】
:
该实验用高能质子辐照KK200A晶闸管,测量辐照前后晶闸参数变化,以退火后各参数变化;并与12MeV电子辐照后的KK200A晶闸管比较,重点放在tq参数调整上,初步探索用较低能量与注量的质子辐照代替电子辐照的
【作 者】
:
何维
林理彬
【机 构】
:
联合大学物理系国家教委“辐射物理及技术”开放实验室
【出 处】
:
第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会
【发表日期】
:
1997年期
【关键词】
:
高能质子辐照
晶闸管
电子辐照
参数调整
实验用
低能量
退火
测量
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该实验用高能质子辐照KK200A晶闸管,测量辐照前后晶闸参数变化,以退火后各参数变化;并与12MeV电子辐照后的KK200A晶闸管比较,重点放在tq参数调整上,初步探索用较低能量与注量的质子辐照代替电子辐照的可行性。
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