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AlN/SiC(0001)高分辨电子显微像的研究

来源 :2010年全国电子显微学会议暨第八届海峡两岸电子显微学研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：amwaydog
【摘 要】
：
@@对界面区域E，做了滤波和解卷处理，由于未做衍射振幅校正处理，得到的解卷像不能辨认出各个原子柱的相对位置，但根据完整区的解卷结果，通过观察各个哑铃对的灰度变化与相对位置，初步确定出AIN/6H-SiC的界面结构。为了得到更好的结果，需要再拍摄高分辨像，把束倾斜和晶体倾斜调整至最佳状态。当然，欲取得原子分辨的界面结构，最佳方案是用球差矫正电镜结合解卷处理。工作尚在进行中。
【作 者】
：
崔彦祥 王玉梅 李方华 
【机 构】
：
中国科学院物理研究所,北京凝聚态物理国家实验室,北京 100190
【出 处】
：
2010年全国电子显微学会议暨第八届海峡两岸电子显微学研讨会
【发表日期】
：
2010年8期
【关键词】
：
高分辨电子显微像 氮化铝 碳化硅 界面结构 
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@@对界面区域E，做了滤波和解卷处理，由于未做衍射振幅校正处理，得到的解卷像不能辨认出各个原子柱的相对位置，但根据完整区的解卷结果，通过观察各个哑铃对的灰度变化与相对位置，初步确定出AIN/6H-SiC的界面结构。为了得到更好的结果，需要再拍摄高分辨像，把束倾斜和晶体倾斜调整至最佳状态。当然，欲取得原子分辨的界面结构，最佳方案是用球差矫正电镜结合解卷处理。工作尚在进行中。
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