【摘 要】
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本文采用国产外延材料及0.15μm GaN HEMT工艺,突破了Ka波段GaN功率MMIC的设计、工艺、测试等关键技术,研制成功Ka波段12W GaN功率放大器MMIC.电路采用三级级联放大结构,采用
【机 构】
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中国电子科技集团公司第十三研究所, 中国 石家庄050051
【出 处】
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第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
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本文采用国产外延材料及0.15μm GaN HEMT工艺,突破了Ka波段GaN功率MMIC的设计、工艺、测试等关键技术,研制成功Ka波段12W GaN功率放大器MMIC.电路采用三级级联放大结构,采用了功率分配及合成匹配网络,采用阻性网络消除奇模振荡,输入输出阻抗均为50Ω.电路在34GHz～36GHz下,输出功率大于12W,增益大于15dB,附加效率大于20％.
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