【摘 要】
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半导体工业上要测量半导体的导电类型、载流子浓度．制作并改进了传统的冷热探针测半导体导电类型的实验装置,即使传统冷热探针原来固定的温度差改进为数值可变的量,做出了p、n
【机 构】
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上海电力学院数理系上海201300
【出 处】
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2011年全国高等学校物理基础课程教育学术研讨会
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半导体工业上要测量半导体的导电类型、载流子浓度．制作并改进了传统的冷热探针测半导体导电类型的实验装置,即使传统冷热探针原来固定的温度差改进为数值可变的量,做出了p、n型硅半导体样品的温差电动势随冷热探针温度差的变化关系．进而测出了样品的导电类型,并且发现温差小于120℃时温差电动势与温差成正比,对上述结果做了理论分析．该实验理论依据明确,实验方法可操作性强,实验器材造价低廉,适合作为大学物理实验中的综合性、研究性实验开设．
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