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采用tsmc90CMOS的工艺,利用3级cascade结构级联设计出了一款功率放大器.设计出了单级5平方毫米大小,S21参数3-4db,三级级联S21能达到9-12db,并且在9db增益的时候能够输出8.8dbm的功率.
基于90nm COMS工艺的60GHZ功率放大器的设计与仿真
【摘 要】
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采用tsmc90CMOS的工艺,利用3级cascade结构级联设计出了一款功率放大器.设计出了单级5平方毫米大小,S21参数3-4db,三级级联S21能达到9-12db,并且在9db增益的时候能够输出
【机 构】
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清华大学电子工程系,北京 100084
【出 处】
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2012全国第十四届微波集成电路与移动通信学术年会
【发表日期】
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2012年期
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