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该文研究了在室温下经Er[*+*]离子注入ZnSe晶体的电致发光，首次报导了三价稀土离子在ZnSeMIS结二级管中的发光。阐明了Er[*+*]离子是在高场下通过过热电子直接碰撞激发的，根据分立中心是高场激发的有效发光中心，可望在这类器件中有较高的效率。（本刊录）
Er[*+*]离子注入ZnSe MIS二极管的电致发光
【摘 要】
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该文研究了在室温下经Er[*+*]离子注入ZnSe晶体的电致发光，首次报导了三价稀土离子在ZnSeMIS结二级管中的发光。阐明了Er[*+*]离子是在高场下通过过热电子直接碰撞激发的，根据
【机 构】
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中国科学院长春物理研究所
【出 处】
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第四届全国发光学术会议
【发表日期】
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1986年期
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