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VO2材料在室温附近具有非常陡峭的金属绝缘体转变MIT,由此带来的电学/光学开关效应具有巨大的潜在应用前景,引起广泛关注。然而,VO2MIT转变的机理仍不清楚,有说是结构相变驱动的Pierls机制,有说是纯电子相变的Mott机制,以及说是两种机制的共同作用。
VO2/TiO2(001)外延薄膜中界面控制的结构相变
【摘 要】
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VO2材料在室温附近具有非常陡峭的金属绝缘体转变MIT,由此带来的电学/光学开关效应具有巨大的潜在应用前景,引起广泛关注。然而,VO2MIT转变的机理仍不清楚,有说是结构相变驱动的Pierls机制,有说是纯电子相变的Mott机制,以及说是两种机制的共同作用。
【机 构】
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中国科学技术大学国家同步辐射实验室,合肥,230029,中国
【出 处】
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中国物理学会2015年秋季会议
【发表日期】
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2015年7期
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