【摘 要】
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The exchange bias(EB)effect in the ferromagnetic(FM)/antiferromagnetic(AFM)layered systems has been extensively studied for more than half a century.It manifests itself by a shift of the hysteresis lo
【机 构】
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State Key Laboratory for Mesoscopic Physics,School of Physics,Peking University,Beijing 100871,P.R.C
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The exchange bias(EB)effect in the ferromagnetic(FM)/antiferromagnetic(AFM)layered systems has been extensively studied for more than half a century.It manifests itself by a shift of the hysteresis loop in the field axis after a field cooling through the Néel temperature(TN)of the AFM part. This effect has been widely used in spintronic devices,such as giant magneto resistance(GMR)read heads and magnetic random access memory(MRAM).
其他文献
本工作基于Thiele方程1,对处于梯度磁场下的斯格明子(Skyrmion)进行了具体的理论计算,其结果与基于Landau-Lifshitz-Gilbert方程的所得出的微磁学模拟计算结果相吻合。模拟结果展示了梯度方向为+y方向的磁场中的的Néel型斯格明子,会产生+x和-y方向的合运动。结果分析表明了+x方向的速度为梯度磁场产生,而阻尼效应导致了-y方向的运动,斯格明子的动力学行为强烈依赖于梯度
采用固相反应法制备双层钙钛矿(La1-xEux)4/3Sr5/3Mn2O7(x=0.0,0.1,0.2)多晶样品,并研究其结构,磁性和电输运性质..XRD结果表明,三个样品均为良好的单相结构.样品(La1-xEux)4/3Sr5/3Mn2O7(x=0.0,0.1,0.2)在低温区的ZFC曲线和FC曲线出现明显分歧,表现出团簇自旋玻璃的特征.对电阻率-温度曲线的拟合结果表明,三个样品在高温区的导电机
我们利用自旋与电荷分别注入的机制,先后研制了多种新型稀磁半导体新体系,分别为“111”型Li(Zn,Mn)As和Li(Zn,Mn)P,“122”型(Ba,K)(Zn,Mn)2As2,(Sr,Na)(Zn,Mn)2As2和(Ca,Na)(Zn,Mn)2As2以及“1111”型(La,Ca)O(Zn,Mn)Sb.这些新型稀磁半导体中通过电荷与自旋掺杂位置的分离成功实现了电荷与自旋的分别调控,克服了长期
在自旋电子学器件的研究过程中,自旋的注入、传输、操控和检测是核心问题,其中高效的自旋注入是实现自旋电子器件的基础.Fe3O4具有高的居里温度(850K)及自旋极化率理论值为100％,是一种理想的自旋注入源材料.[1]然而,Fe3O4室温下的载流子浓度约为1022/cm3,远高于大多数掺杂半导体材料的载流子浓度,与半导体之间产生不可避免的电导错配.同时,先进的自旋电子器件要求铁磁材料具有外界因素可控
M型钡铁氧体(BaFe12O19)是一种传统的永磁材料，在永磁体、高密度存储、微波器件等领域有着广泛的应用前景.Sc3+对BaFe12O19中Fe3+的部分取代会改变其磁结构，使得材料在一定温度(磁结构转变温度点Tcone)以下，从亚铁磁结构变为锥型磁结构.该锥磁结构结合自旋电流模型作用机制使得该材料中出现较强的磁电耦合效应，使得该材料在多铁性材料领域具有广阔的应用前景.
以常规发光二极管为光源，我们研究了不同波长可见光对La1/2Sr1/2MnO3-δ(LSMO)的各向异性磁电阻(AMR)的影响，展现了这一体系中光学调控磁性的可能1.研究表明，在不同颜色可见光的照射下，磁场扫描下各向异性磁电阻形成的滞回窗口均有增大，这反映了光照使体系饱和磁场增加.这一现象是易失性的且可重复的，而且窗口的增大程度，即光学对磁性的调控程度，随材料氧空位含量的增加、光照强度的提高以及所
为了研究Ce在半掺杂钙钛矿锰氧化物中所起的作用以及是否存在化合价变化的情况,我们以CeO2,SrCO3,La2O3,CaCO3,MnO2为原料用固相反应方法制备La0.3Ce0.2CaxSr0.5-xMnO3陶瓷样品,并对其结构与物性进行了研究.结果表明：随着Ca掺杂量的增加,A位平均离子半径随之降低,样品的XRD衍射峰向高角度移动.
PbPdO2是一种新型零禁带半导体，在PbPdO2中掺杂磁性离子有望实现一种特殊的自旋零禁带(Spin Gapless)能带结构。这种自旋零禁带材料不仅具有零禁带半导体的高载流子迁移率等优点，还具有较高的自旋极化率和较大的自旋弛豫长度，因此吸引了广泛关注。本文首次在PbPdO2零禁带半导体中引入Ni离子。
电致阻变[1]和磁电阻效应[2]均可应用于随机存储器领域。若能在一个器件中同时实现电致阻变和磁电阻效应，将有可能通过电场和磁场两种方式共同调控器件的电阻，获得多个电阻态，从而进一步拓宽器件的应用空间。本研究中，我们设计并通过磁控溅射方法在室温下制备了一个新颖的电极/ZnO/ZnO-Co/电极器件，其中功能层是由ZnO层和纳米结构ZnO-Co层复合而成[3]。