高Tg菲咯啉基电子传输材料面向低成本、高性能、高稳定OLED与OPV器件应用

来源 :第十四届全国发光学学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：ld2001

【摘要】

：

　　近期我们设计制备菲咯啉基电子传输材料Phen-m-PhDPO 与Phen-NaDPO.Phen-m-PhDPO 作为空穴阻挡材料,有望应用于高功率效率、高稳定性(RGB)OLED 器件[1,2].Phen-NaDPO 电

【作者】

：

谭婉怡朱旭辉彭俊彪曹镛

【机构】

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华南理工大学,发光材料与器件国家重点实验室广州市天河区五山路381号,华南理工大学材料科学与工程学院,510640

【出处】

：

第十四届全国发光学学术会议

【发表日期】

：

2016年11期

【关键词】

：

有机发光二极管有机光伏器件电子传输材料高效率、器件稳定性

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　　近期我们设计制备菲咯啉基电子传输材料Phen-m-PhDPO 与Phen-NaDPO.Phen-m-PhDPO 作为空穴阻挡材料,有望应用于高功率效率、高稳定性(RGB)OLED 器件[1,2].Phen-NaDPO 电子迁移率：～10-4cm2/V·s,Tg≈116℃,作为OLED、OPV 器件的电子传输层,显示重要应用前景.

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