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分析了无源抑制模式的单光子探测器的时间特性，给出了无源抑制模式下，雪崩光电二极管(APD)的雪崩淬灭时间和恢复时间的表达式。分析结果表明，负载电阻值越大，雪崩淬灭时间越短，而电路的恢复时间越长。无源抑制模式单光子探测器的探测周期主要由恢复时间所制约，所以，在确保APD不过流的条件下，应该选取较小的负载电阻值。分布电容会显著的延长APD的雪崩淬灭时间和电路的恢复时间，因此需要采用合理的电路结构和布局来减小分布电容。这一研究将有助于APD的特性测量和单光子探测器的设计。